MT57W512H36JF-6 Micron Technology Inc. Erinnerung

Hersteller: Micron Technology Inc.
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße: 18Mbit
Speicherorganisation: 512K x 36
Speicherschnittstelle: HSTL
Taktfrequenz: 167 MHz
Schreibzykluszeit – Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 500 ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: 0°C~70°C(TA)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 165-TBGA
Gerätepaket des Lieferanten: 165-FBGA (13x15)