Menü

CY7C1911KV18-300BZCKG Cypress Semiconductor Corp Erinnerung

{{ product.price_format }}
{{ product.origin_price_format }}
Lager:
Model: {{ product.model }}

{{ variable.name }}

{{ value.name }}
Angebot anfordern

Beschreibung Ihrer Anforderungen

Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, QDR II
Speichergröße: 18Mbit
Speicherorganisation: 2M x 9
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 300 MHz
Schreibzykluszeit – Wort, Seite: -
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: 0°C~70°C(TA)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 165-LBGA
Gerätepaket des Lieferanten: 165-FBGA (13x15)
Basisproduktnummer: CY7C1911

Datasheet

Abbrechen Senden
Bewertung veröffentlichen
Erste Bewertung veröffentlichen
  • {{ item.user_name }}
    {{ item.content }}
    Loading...
    {{ item.created_at }} {{ item.order_product_name }}